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SI2343DS-T1-E3中文资料

SI2343DS-T1-E3图片

SI2343DS-T1-E3外观图

  • 大小:67.6KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI2343DS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:53 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:540pF @ 15V
  • 功率 - 最大:750mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2343DS-T1-E3TR

SI2343DS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-22 13:58:37
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